להונג האו ניסיון של יותר מ-30 שנים בתפקידי הנהגה בפיתוח מוצרים בתחום המוליכים למחצה, וכן בפיתוח עסקי ומסחרי של עסקי ייצור שבבים גלובליים. בתפקידו האחרון כיהן כסגן נשיא תאגידי וכמנהל כללי של תחום הפיתוח העסקי והמכירות העולמיים ב-Intel Foundry, והוביל את האסטרטגיה הכוללת לפיתוח עסקי ואת יישומה מול לקוחות ברחבי העולם.
לפני שהצטרף לאינטל, כיהן האו כסגן נשיא בכיר וכראש פעילות הייצור של סמסונג בצפון אמריקה, שם ניהל את האסטרטגיה המסחרית ואת קשרי הלקוחות, השיווק, התמיכה הטכנית והרחבת המערכת האקולוגית של פעילות הייצור. במהלך עבודתו ב-Samsung System LSI, הוא גם ניהל את ביצועי ההנדסה של מוצרי מערכת על שבב (SoC) מבוססי ARM, בעלי יעילות אנרגטית וביצועים גבוהים, המיועדים לארכיטקטורות של מכשירים ניידים ומרכזי נתונים.
במהלך הקריירה שלו, שנמשכה עשרות שנים, ביסס הונג האו רקורד מוכח ביצירת קשרים עם לקוחות מרכזיים ובטיפוחם, בהאצת הצמיחה העסקית בתחום המוליכים למחצה ובהובלת יוזמות מורכבות בתחום ה-SoC וה-ASIC. מומחיותו המעמיקה בניהול פעילות ייצור שבבים, בשילוב קניין רוחני (IP) ובמתן אפשרות לשותפים למצות את יכולותיהם תהיה בעלת ערך רב ככל ש-RAAAM תרחיב את נוכחותה האסטרטגית ואת פעילותה המסחרית.
"הונג האו הוא ותיק ומוערך מאוד בתעשייה, עם רקורד מוכח בהרחבת אקוסיסטמות בתחום ייצור השבבים ובהנעת צמיחה מסחרית", אמר רוברט גיטרמן, מייסד-שותף ומנכ"ל RAAAM Memory Technologies. "בעוד מתכנני שבבים מתמודדים עם מגבלות חמורות הנוגעות להרחבת קנה המידה של SRAM ולצריכת החשמל שלו, טכנולוגיית GCRAM של RAAAM מספקת פריצת דרך חיונית וחסכונית. ההכוונה האסטרטגית של הונג תהיה בעלת ערך רב עבורנו ככל שנרחיב את שיתופי הפעולה עם חברות מוליכים למחצה מובילות בארה"ב ועם שותפים באקוסיסטם".
"הטכנולוגיה החדשנית GCRAM של RAAAM נותנת מענה לאחד מצווארי הבקבוק הדחופים ביותר בתכנון מערכות SoC מודרניות, באמצעות השגת צפיפות זיכרון גבוהה במיוחד ויעילות אנרגטית, תוך שימוש בתהליכי CMOS סטנדרטיים", אמר הונג האו. "אני שמח להצטרף כיועץ ל-RAAAM בשלב מכריע זה בצמיחתה. הצוות פיתח פתרון פורץ דרך באמת, ואני מצפה לסייע לו להרחיב את נוכחותו ולחזק את קשריו בקהילת המוליכים למחצה בארה"ב ומעבר לה".
באמצעות מינוי אסטרטגי זה, RAAAM מחזקת את מחויבותה לספק פתרונות זיכרון על-שבב מהדור הבא, המאפשרים ליצרניות שבבים לצמצם את שטח הסיליקון, להפחית את צריכת החשמל ואת עלויות הייצור ולהגדיל את הביצועים, ללא צורך בשינוי תהליכי הייצור הסטנדרטיים.
אודות RAAAM Memory Technologies Ltd.
RAAAM פיתחה את טכנולוגיית הזיכרון על שבב החסכונית ביותר בתעשיית המוליכים למחצה, המציעה חיסכון של עד 50% בשטח השבב והפחתה של עד פי 3 בצריכת החשמל בהשוואה לזיכרון SRAM בצפיפות גבוהה. טכנולוגיית GCRAM המוגנת בפטנט יכולה לשמש תחליף ישיר לזיכרון SRAM במערכות SoC, והיא תואמת באופן מלא לתהליכי CMOS סטנדרטיים. כך יכולים המתכננים לשלב יותר זיכרון בשטח שבב קטן יותר ובצריכת חשמל נמוכה יותר.
למידע נוסף על RAAAM –https://raaam-tech.com
